英特尔在会上推出了首款 Z 角内存原型英特尔连接日本 2026，标志着该公司在 20 世纪 80 年代退出内存市场后重返内存市场。这款垂直堆叠内存是与软银子公司 SAIMEMORY 共同开发的，面向人工智能数据中心，有望比当前的高带宽内存提供更高的容量和更好的热性能。
Z 角内存架构使用对角线垂直堆叠 DRAM 芯片“Z 角铜互连。”据报道，这种设计通过在存储芯片中创建一个中心热柱来提高导热性。
传统平面内存设计面临 16-20 层左右的热限制，而 ZAM 的垂直方法解决了这些限制。
SAIMEMORY 的目标是 ZAM 提供当前 HBM 产品容量的两到三倍，同时降低功耗40-50%，有报道称这可能是便宜 60%生产比HBM。内存可容纳每个芯片 512GB据 Wccftech 的早期报道。软银将投资约 30 亿日元（1900 万美元）在原型开发阶段，英特尔贡献了其下一代 DRAM Bonding 技术而不是资金。
英特尔日本首席执行官 Makoto Ono 和英特尔政府技术首席技术官 Joshua Fryman 在东京活动上与 SAIMEMORY 高管一起展示了该原型。该合资企业成立于 2024 年 12 月，并于 2025 年 6 月启动，合作伙伴包括东京大学、软银和英特尔。
其他在 ZAM 上合作的公司包括日本 IT 硬件和服务公司 Fujitsu； PowerChip 半导体制造公司（最近被美光收购）；新光电气工业公司；和东京大学。
原型开发计划于2027商业化的目标是2029-2030。时间表定位了 ZAM 的竞争者HBM4，下一代高带宽内存目前由三星、SK海力士和美光主导。英特尔的 NGDB 技术旨在缩小 HBM 和传统 DDR DRAM 之间的差距，同时提供更好的能源效率。
这内存短缺影响人工智能数据中心推高了 HBM 价格并限制了供应。数据中心建设者已经消耗了可用的 HBM 生产，迫使内存制造商优先考虑 HBM，而不是 DDR5 DIMM 和 NVMe SSD 等消费产品。
ZAM代表了英特尔为高性能内存创建替代供应链的尝试。
这一举措是继英特尔之后冲销 5.59 亿美元2022 年 7 月关闭 Optane 内存业务。该公司在首席执行官 Lip Bu-Tan 的领导下进行了重大重组，包括裁员以及今年早些时候美国政府收购了 10% 的股份。
解决散热、性能和供电问题的“颠覆性挑战”。
SAIMEMORY 社长山口秀也这样描述了这一举措。除了目前与英特尔和软银的合作之外，该公司还计划利用国内外投资者和供应链合作伙伴。
